凭借性能优势与对应用市场的乐观预测，第三代半导体备受追捧。近期晶方科技、长电科技、东微半导、中瓷电子纷纷加码第三代半导体。

晶方科技2000万美元投资GaN器件设计公司VisIC

2月8日，晶方科技发布公告称，已与以色列VisIC Technologies Ltd.洽谈股权合作，并由苏州晶方贰号集成电路产业基金合伙企业（有限合伙）投资2,000万美元，持有VisIC公司13.7%的股权。目前投资交割的相关手续已履行完毕。

图片来源：晶方科技公告截图

对于此次投资，晶方科技表示，公司依据自身战略规划投资VisIC公司，进一步加强股权合作，积极布局前沿半导体技术，并充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，以期能有效把握三代半导体在新能源汽车领域产业发展机遇。

公开资料显示，VisIC公司为全球领先的第三代半导体GaN（氮化镓）器件设计公司，申请布局了D3GaN技术的关键专利，在此基础上成功开发了硅基氮化镓大功率晶体管和模块，正在将其推向EV电动汽车市场，产品可广泛使用于电能转换、快速充电、射频和功率器件等应用领域。

公开报道显示，全球汽车行业供应商采埃孚集团和半导体行业龙头台积电均是VisIC公司的合作伙伴。

长电科技已出货第三代半导体封测产品

2月7日，长电科技在互动平台表示，目前长电科技在中国厂区已布局绝缘栅双极晶体管（IGBT）封装业务，锁定车用电子和工业领域，同时具备碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）芯片封装和测试能力，目前已在太阳能和车用充电桩出货第三代半导体封测产品。

图片来源：上证e互动

公开资料显示，长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试等。

此外值得一提的是，长电科技1月24日公布了2021年业绩预告，预估去年归属于上市公司股东净利润为28亿-30.8亿元，较2020年成长114.72%-136.2%。

东微半导布局IGBT和SiC器件

2月8日，东微半导日前发布了首次公开发行股票并在科创板上市发行结果公告。

图片来源：东微半导公告截图

其招股书显示，东微半导本次IPO募投项目包括：超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金。

其中，超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目基于公司深槽超级结技术以及屏蔽栅技术的丰富积累，对高压超级结MOSFET产品及中低压屏蔽栅MOSFET产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。

新结构功率器件研发及产业化项目依托公司在功率器件领域多年的研发及技术积累，拟在未来三年陆续推出下一代高速IGBT和超级硅MOSFET以及新一代高速大电流功率器件产品。

研发工程中心建设项目则在SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行布局，此项目于2021年7月立项。

中瓷电子并购中电科十三所氮化镓芯片业务

近期，中瓷电子发布公告，拟向中国电科十三所发行股份购买其持有的氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债，以及中国电科十三所等股东持有的博威公司和国联万众的部分股权或全部股权。

图片来源：中瓷电子公告截图

公开资料显示，中国电科十三所氮化镓通信基站射频芯片业务主要产品为氮化镓射频芯片，频率覆盖无线通信主要频段，芯片指标达到国内领先水平，是国内少数实现批量供货主体之一；博威公司主要产品包括氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件等；国联万众主要产品包括氮化镓通信基站射频芯片、碳化硅功率芯片等。

该公司表示，本次交易系中国电科产业发展整体部署，将氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率芯片及其应用业务重组注入上市公司，有利于将上市公司打造成为拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率芯片及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的国内一流半导体领域高科技企业。

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